YES-VertaCure由世界上最大的公司選擇，是經過生產驗證的平臺，可容納200mm/300mm晶片，并在集成的1類微型環境中自動處理多達兩個處理模塊。
真空固化的優勢
?3.5小時與8小時以上的大氣壓相比
?層流減少/消除了顆粒
?更徹底的固化（排氣量減少5倍）
?減少膜應力，降低晶片翹曲
?功耗和N2消耗減少1.6到2倍
?大大降低了資本成本，降低了2-3倍的運營成
本VertaCure 1PM和2PM系統分別容納50和100個晶片。
環境清潔度：100級
EFEM清潔度：100級
最高溫度：<450°C
WiW溫度均勻性：駐留溫度在250°C以下+/- 1.5°C和在250°C以上+/- 2.5°C（兩種情況的穩
定時間均小于15分鐘。）
升溫速率：150至450°C最低8.0°C / min
下降速度：從450至150°C最低3.2°C / min正常運行時間≥98％
MTTR：≤4小時
MTBF：≥500小時
翹曲：≤3mm一側
晶圓破損：最大破損率<50 ppm
晶圓尺寸：□300 mm，□200 mm，□150 mm，□100 mm（8英寸晶圓厚度@ 450-900um，12英寸晶
圓厚度@ 760um）
裝載端口數量：□2，□4，□其他用于200mm / 300mm FOUP的開放式卡匣適配器
工藝氣體類型：氮氣-預熱
MFC：1 N2校準MFC
最大流量：50 SLM
泵：由客戶提供（推薦與Ebara EV-A06 21 CFM相同或等同）
清潔排氣：室內冷卻空氣與環境空氣混合（將排氣溫度降低到安全暴露極限以下。僅排熱；排氣
中不存在工藝氣體或流出物。 最高流量為2000 SCFM，排氣溫度≤40°C）
泵排氣：洗滌器–最大流量21 CFM
ESD SEMI：符合S2和S8
腔室：不銹鋼腔室SUS 316L
處理模塊：1個50個晶圓（用于VertaCure 1PM）； 2個100晶圓（對于VertaCure 2PM）
O2監測器的O2濃度：在過程開始后20分鐘內<10 ppm（連續監測過程室真空排氣中的氧濃度以驗證
氧氣性能。 O2值將保存到過程日志中，也可以通過SECS/GEM界面進行訪問。）
通訊標準：SECS（HSMS-SS）
GUI：圖形用戶界面，帶觸摸屏串行RS-232C，并行I/O
Windows：Windows 8.1+
保修：驗收后12個月，僅限非消耗品
